GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法

本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。
本标准适用于、面砷化镓单晶位错密度的测试，测试范围为0 cm-2～100 000 cm-2 。
英文名称：  Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide
替代情况：  替代GB/T 8760-2006
中标分类：  冶金 - 金属理化性能试验方法 - H21金属物理性能试验方法
ICS分类：  冶金 - 77.040金属材料试验
发布部门：  国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：  2020-09-29
实施日期：  2021-08-01
提出单位：  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
归口单位：  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位：  有研光电新材料有限责任公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、中国电子科技集团第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、雅波拓(福建)新材料有限公司
起草人：  赵敬平、林泉、于洪国、惠峰、刘淑凤、姚康、许所成、许兴、马英俊、王彤涵、赵素晓、韦圣林、陈晶晶、付萍
页数：  12页
出版社：  中国标准出版社
出版日期：  2020-09-01