T/IAWBS 002-2017 碳化硅外延片表面缺陷测试方法
本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法。本标准适用于同质的超过（含）2微米厚的碳化硅外延层。
英文名称：
Test method of surface defects for silicon carbide epitaxial wafers
中标分类：
电子元器件与信息技术 - 电子元件 - L17电感器、变压器
ICS分类：
冶金 - 金属材料试验 - 77.040.01金属材料试验综合
发布部门：
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布日期：
2017-12-20
实施日期：
2017-12-31
归口单位：
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
起草单位：
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、全球能源互联网研究院有限公司、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、东莞市天域半导体科技有限公司等
起草人：
钮应喜、杨霏、温家良、吴军民、潘艳、陈志霞、刘丹、冯淦、张新河、田亮、田红林、吴昊、李玲、李永平、张文婷、李嘉琳、焦倩倩、李赟、王英民、贾仁需、刘兴昉、陆敏、彭同华、刘振洲
页数：
16页【彩图】
出版社：
中国质检出版社
出版日期：
2018-02-01
